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[时讯] 力合创投：瑞波光电实现国产905nm EEL芯片重大技术突破

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发表于 2023-5-5 13:36:51|显示全部楼层|阅读模式
报告派消息，据力合创投官微，力合创投在孵在投企业瑞波光电日前推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波长随温度变化系数小于0.09nm/K，部分型号达到0.06nm/K，在温度漂移特性已经接近甚至优于VCSEL，实现了国产905nm EEL芯片的重大技术突破，填补了国内空白，同时削弱了VCSEL的竞争优势。原文链接
瑞波光电, 905nm EEL芯片, 技术突破, 低温漂, 自主核心技术

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